碳化硅企業(yè)跨界硅碳負極：天岳先進申請硅碳復合負極材料及多孔炭相關專利
12月5日，國家知識產(chǎn)權局信息顯示山東天岳先進科技股份有限公司公布了一項名為“一種充放電低膨脹球形硅碳復合負極材料及其制備方法”的專利申請。公開號：CN 121076116 A；公開日期：2025.12.05
專利摘要顯示，本申請公開了一種充放電低膨脹球形硅碳復合負極材料及其制備方法，屬于儲能材料領域。所述充放電低膨脹球形硅碳復合負極材料以球形多孔碳為內核，外側依次包覆無定形碳層和快離子體層，無定形碳層的厚度為10 20nm，快離子體層的厚度為1 5nm；球形多孔碳內沉積有質量為（0 .1 0 .932）V的硅原子，單位為g，V為球形多孔碳孔容的數(shù)值；球形硅碳復合負極材料的平均粒徑為5 10 μm，內部含閉孔，閉孔體積為(0 .5 0 .9)V，單位為ml/g。該球形硅碳復合負極材料結構穩(wěn)定、導電性優(yōu)異，能有效緩沖硅的體積膨脹，實現(xiàn)充放電低膨脹，提升循環(huán)壽命和首次庫侖效率，適用于鋰離子電池、鈉離子電池及其它儲能領域。
就在上個月，山東天岳先進科技股份有限公司還申請了另外一項名為“一種適用于硅碳負極的球形樹脂小球及球形多孔碳及其制備方法”的專利，公開號CN121076115A，申請日期為2025年11月。
專利摘要顯示，本申請公開了一種適用于硅碳負極的球形樹脂小球及球形多孔碳及其制備方法，屬于能源材料與儲能器件領域。所述球形樹脂小球同時滿足以下條件：（a）平均粒徑為12-25μm；（b）球形度≥0.95；（c）孔容為0.1-0.5 ml/g；（d）耐壓強度為500-1000 MPa；（e）粒徑分布T＜5，T＝（D90－D10）／D50。所述球形多孔碳滿足以下要求：（1）平均粒徑為3-10μm；（2）球形度≥0.95；（3）比表面積≥1600 m²/g；（4）耐壓強度200–600 MPa。本發(fā)明的球形樹脂小球粒徑小，球形度高，孔容高且耐壓強度大，球形多孔碳粒徑小，球形度高，采用該球形樹脂小球和球形多孔碳制備電極材料時，由于耐壓強度高能夠避免輥壓破損，且孔結構可控，適用于儲能、電催化、吸附分離等領域。
山東天岳先進科技股份有限公司成立于 2010 年，是專業(yè)從事碳化硅半導體材料研發(fā)與生產(chǎn)的科技型企業(yè)，也是兩市唯一實現(xiàn) “A+H” 雙上市的碳化硅襯底企業(yè)，2022 年 1 月 12 日登陸上交所科創(chuàng)板（股票代碼 688234），2025 年 8 月 20 日在港交所掛牌上市（股票代碼02631.HK）。該公司主營碳化硅單晶襯底，產(chǎn)品廣泛應用于 5G、AI、新能源、光伏儲能、電網(wǎng)、軌道交通等領域。公司掌握碳化硅單晶生長與加工全流程核心工藝，曾獲國家科技進步一等獎、國際 “半導體電子材料” 金獎，同時是國家知識產(chǎn)權示范企業(yè)、工信部專精特新重點 “小巨人” 企業(yè)、國家制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)及獨角獸企業(yè)。
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